億光的可控硅光耦系列光耦，輸出主要是以三端可控硅為主，控制端主要是由鋁砷化鎵紅外LED組成，通過(guò)光耦至硅檢測(cè)器芯片，其中有采用4引腳封裝的、5引腳封裝、6引腳封裝，輸入之前輸出端的隔離電壓達(dá)到了7.5KV AC（PEAK）。這樣的參數(shù)幾乎可以滿足國(guó)內(nèi)外的電壓115/220V電源路線上的，并通過(guò)可控硅控制負(fù)載。

　　AIGaAs LED 10 mA時(shí)的標(biāo)稱正壓降為1.3V，反向擊穿電壓大于3V。通過(guò)LED的電流最大值為60mA。關(guān)斷狀態(tài)下，兩個(gè)方向上的檢測(cè)器量最小阻斷電壓均為250 Vdc。處于通態(tài)時(shí)，檢測(cè)器可在兩個(gè)方向上流過(guò)100 MA電流，并且通過(guò)器件的壓降低于3 V。一旦觸發(fā)進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)后，即使無(wú)電流流過(guò)LED。檢測(cè)器也會(huì)保持不動(dòng)，直到端點(diǎn)電流下降至低于維持電流（典型值為100μA），此時(shí)檢測(cè)器會(huì)反轉(zhuǎn)為關(guān)斷狀態(tài)。

　　超過(guò)正向阻斷電壓、電壓沿檢測(cè)器以超過(guò)靜態(tài)dv/dt速率斜升、或者通過(guò)LED發(fā)出光電都能使檢測(cè)器觸發(fā)進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。通過(guò)規(guī)格保證LED觸發(fā)檢測(cè)器的觸發(fā)性能，使其在流過(guò)LED的電流等于或者高于IFT（max）時(shí)將檢測(cè)器觸發(fā)為導(dǎo)通狀態(tài)。例如，EL300XXM要求至少10mA LED電流，以保證開(kāi)啟。而類(lèi)似的器件EL30XXM系列具有完全相同的特性，但僅需5 MA 即可觸發(fā)。