光電耦合器的技術參數可分為輸入特性、輸出特性、、隔離特性、傳輸特性等幾大部分。

一、輸入特性

光耦合器的輸入特性實際也就是其內部發(fā)光二極管的特性。常見的參數有：

1. 正向工作電壓Vf（Forward Voltage）

Vf是指在給定的工作電流下，LED本身的壓降。常見的小功率LED通常以If=20mA來測試正向工作電壓，當然不同的LED，測試條件和測試結果也會不一樣。

2. 反向電壓Vr（Reverse Voltage ）

是指LED所能承受的最大反向電壓，超過此反向電壓，可能會損壞LED。在使用交流脈沖驅動LED時，要特別注意不要超過反向電壓。

3. 反向電流Ir（Reverse Current）

通常指在最大反向電壓情況下，流過LED的反向電流。

4. 允許功耗Pd（Maximum Power Dissipation）

LED所能承受的最大功耗值。超過此功耗，可能會損壞LED。

5. 中心波長λp（Peak Wave Length）

是指LED所發(fā)出光的中心波長值。波長直接決定光的顏色，對于雙色或多色LED，會有幾個不同的中心波長值。

6. 正向工作電流If（Forward Current）

If是指LED正常發(fā)光時所流過的正向電流值。不同的LED，其允許流過的最大電流也會不一樣。

7. 正向脈沖工作電流Ifp（Peak Forward Current）

Ifp是指流過LED的正向脈沖電流值。為保證壽命，通常會采用脈沖形式來驅動LED，通常LED規(guī)格書中給中的Ifp是以0.1ms脈沖寬度,占空比為1/10的脈沖電流來計算的。

二、輸出特性

光耦合器的輸入特性實際也就是其內部光敏三極管的特性，與普通的三極管類似。常見的參數有：

1. 集電極電流Ic（Collector Current）

光敏三極管集電極所流過的電流，通常表示其最大值。

2. 集電極-發(fā)射極電壓Vceo（C-E Voltage）

集電極-發(fā)射極所能承受的電壓。

3. 發(fā)射極-集電極電壓Veco（E-C Voltage）

發(fā)射極-集電極所能承受的電壓

4. 反向截止電流Iceo

發(fā)光二極管開路，集電極至發(fā)射極間的電壓為規(guī)定值時，流過集電極的電流為反向截止電流。

5. C-E飽和電壓Vcd(sat)（C-E Saturation Voltage）

發(fā)光二極管工作電流IF和集電極電流IC為規(guī)定值時，并保持IC/IF≤CTRmin時（CTRmin在被測管技術條件中規(guī)定）集電極與發(fā)射極之間的電壓降。

四、傳輸特性：

1．電流傳輸比光電耦合器CTR（Current Transfer Radio）

輸出管的工作電壓為規(guī)定值時，輸出電流和發(fā)光二極管正向電流之比為電流傳輸比CTR。

2．上升時間Tr （Rise Time）& 下降時間Tf（Fall Time）

光耦合器在規(guī)定工作條件下，發(fā)光二極管輸入規(guī)定電流IFP的脈沖波，輸出端管則輸出相應的脈沖波，從輸出脈沖前沿幅度的10%到90%，所需時間為脈沖上升時間tr。從輸出脈沖后沿幅度的90%到10%，所需時間為脈沖下降時間tf。

其它參數諸如工作溫度、耗散功率等不再一一敷述。

三、隔離特性

1．入出間隔離電壓Vio（Isolation Voltage）

光耦合器輸入端和輸出端之間絕緣耐壓值。

2．入出間隔離電容Cio（Isolation Capacitance）：

光耦合器件輸入端和輸出端之間的電容值

3．入出間隔離電阻Rio：（Isolation Resistance）

半導體光耦合器輸入端和輸出端之間的絕緣電阻值。